半導体分野におけるトップカンファレンスである International Electron Devices Meeting（IEDM2025） において、黒田研から下記2件の発表を行いました。
タイトル：A 120 dB Dynamic Range 3D Stacked 2-Stage LOFIC CMOS Image Sensor with Illuminance-Adaptive Signal Selection Function
著者：Kohei Takizawa, Yoshihito Hirai, Masaya Yoshida, Takezo Mawaki, Ken Miyauchi, Rihito Kuroda
タイトル：A Global Shutter Burst CMOS Image Sensor with 6-Tpixel/s Readout Speed, 256-recording Frames and -170dB Parasitic Light Sensitivity
著者：Masuto Kitamura, Yasunori Kawaguchi, Naoya Kuriyama, Tomoaki Maeda, Toshifumi Imamura, Takezo Mawaki, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda
発表内容の詳細は大学プレスリリースをご参照ください。